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ESD防護方法與電路級靜電防護設計技巧

更新時間:2024-11-07      點擊次數(shù):79

靜電放電(ESD)理論研究的已經(jīng)相當成熟,為了模擬分析靜電事件,前人設計了很多靜電放電模型。

常見的靜電模型有:人體模型(HBM),帶電器件模型,場感應模型,場增強模型,機器模型和電容耦合模型等。芯片級一般用HBM做測試,而電子產(chǎn)品則用IEC 6 1000-4-2的放電模型做測試。為對 ESD 的測試進行統(tǒng)一規(guī)范,在工業(yè)標準方面,歐共體的 IEC 61000-4-2 已建立起嚴格的瞬變沖擊抑制標準;電子產(chǎn)品必須符合這一標準之后方能銷往歐共體的各個成員國。

因此,大多數(shù)生產(chǎn)廠家都把 IEC 61000-4-2看作是 ESD 測試的事實標準。我國的國家標準(GB/T 17626.2-1998)等同于I EC 6 1000-4-2。大多是實驗室用的靜電發(fā)生器就是按 IEC 6 1000-4-2的標準,分為接觸放電和空氣放電。靜電發(fā)生器的模型如圖 1。 放電頭按接觸放電和空氣放電分尖頭和圓頭兩種。

ESD防護方法與電路級靜電防護設計技巧

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IEC 61000-4-2的 靜電放電的波形如圖2,可以看到靜電放電主要電流是一個上升沿在1nS左右的一個上升沿,要消除這個上升沿要求ESD保護器件響應時間要小于這個時間。靜電放電的能量主要集中在幾十MHz到500MHz,很多時候我們能從頻譜上考慮,如濾波器濾除相應頻帶的能量來實現(xiàn)靜電防護。其放電頻譜如下,這個圖是我自己畫的,只能定性的看,不能定量。

ESD防護方法與電路級靜電防護設計技巧

IEC 61000-4-2規(guī)定了幾個試驗等級,目前手機CTA測試執(zhí)行得是3級,即接觸放電6KV,空氣放電8KV。很多手機廠家內(nèi)部執(zhí)行更高的靜電防護等級。

ESD防護方法與電路級靜電防護設計技巧

當集成電路( IC )經(jīng)受靜電放電( ESD)時,放電回路的電阻通常都很小,無法限制放電電流。例如將帶靜電的電纜插到電路接口上時,放電回路的電阻幾乎為零,造成高達數(shù)十安培的瞬間放電尖峰電流,流入相應的 IC 管腳。瞬間大電流會嚴重損傷 IC ,局部發(fā)熱的熱量甚至會融化硅片管芯。ESD 對 IC的損傷還包括內(nèi)部金屬連接被燒斷,鈍化層受到破壞,晶體管單元被燒壞。

ESD 還會引起 IC 的死鎖( LATCHUP)。這種效應和 CMOS 器件內(nèi)部的類似可控硅的結(jié)構單元被激活有關。高電壓可激活這些結(jié)構,形成大電流信道,一般是從 VCC 到地。串行接口器件的死鎖電流可高達 1A 。死鎖電流會一直保持,直到器件被斷電。不過到那時, IC 通常早已因過熱而燒毀了。

電路級ESD防護方法


1、并聯(lián)放電器件


常用的放電器件有TVS,齊納二極管,壓敏電阻,氣體放電管等。如圖

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1.1、齊納二極管( Zener Diodes ,也稱穩(wěn)壓二極管 ) : 利用齊納二極管的反向擊穿特性可以保護 ESD敏感器件。但是齊納二極管通常有幾十 pF 的電容,這對于高速信號(例如 500MHz)而言,會引起信號畸變。齊納二極管對電源上的浪涌也有很好的吸收作用。

1.2、瞬變電壓消除器 TVS(Transient Voltage Suppressor):TVS 是一種固態(tài)二極管,專門用于防止 ESD 瞬態(tài)電壓破壞敏感的半導體器件。與傳統(tǒng)的齊納二極管相比, TVS 二極管 P/N 結(jié)面積更大,這一結(jié)構上的改進使 TVS 具有更強的高壓承受能力,同時也降低了電壓截止率,因而對于保護手持設備低工作電壓回路的安全具有更好效果。

TVS二極管的瞬態(tài)功率和瞬態(tài)電流性能與結(jié)的面積成正比。該二極管的結(jié)具有較大的截面積,可以處理閃電和 ESD所引起的高瞬態(tài)電流。TVS也會有結(jié)電容,通常0.3個pF到幾十個pF。TVS有單極性的和雙極性的,使用時要注意。手機上用的TVS大約0.01$,低容值的約2-3分$。

1.3、多層金屬氧化物結(jié)構器件 (MLV):大陸一般稱為壓敏電阻。MLV也可以進行有效的瞬時高壓沖擊抑制,此類器件具有非線性電壓 - 電流 ( 阻抗表現(xiàn) ) 關系,截止電壓可達最初中止電壓的 2 ~ 3倍。這種特性適合用于對電壓不太敏感的線路和器件的靜電或浪涌保護,如電源回路,按鍵輸入端等。手機用壓敏電阻約0.0015$,大約是TVS價格的1/6,但是防護效果沒有TVS好,且壓敏電阻有壽命老化。


2、串聯(lián)阻抗

一般可以通過串聯(lián)電阻或者磁珠來限制ESD放電電流,達到防靜電的目的。如圖。如手機的高輸入阻抗的端口可以串1K歐電阻來防護,如ADC,輸入的GPIO,按鍵等。不要擔心0402的電阻會被打壞,實踐證明是打不壞的。這里不詳細分析。用電阻做ESD防護幾乎不增加成本。如果用磁珠,磁珠的價格大 約0.002$,和壓敏電阻差不多。

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3、增加濾波網(wǎng)絡

前面提到了靜電的能量頻譜,如果用濾波器濾掉主要的能量也能達到靜電防護的目的。

對于低頻信號,如GPIO輸入,ADC,音頻輸入可以用1k+1000PF的電容來做靜電防護,成本可以忽略,性能不比壓敏電阻差,如果用1K+50PF的壓敏電阻(下面講的復合防護措施),效果更好,經(jīng)驗證明這樣防護效果有時超過TVS。

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對于射頻天線的微波信號,如果用TVS管,壓敏等容性器件來做靜電防護,射頻信號會被衰減,因此要求TVS的電容很低,這樣增加ESD措施的成本。對于微波信號可以對地并聯(lián)一個幾十nH的電感來為靜電提供一個放電通道,對微波信號幾乎沒有影響,對于900MHZ和1800MHz的手機經(jīng)常用22nH的電感。這樣能把靜電主要能量頻譜上的能量吸收掉很多。

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4、復合防護

有一種器件叫EMI filter,他有很好的ESD防護效果,如圖。EMI filter也有基于TVS管的和基于壓敏電阻的,前者效果好,但很貴,后者廉價,一般4路基于壓敏電阻的EMI價格在0.02$。

ESD防護方法與電路級靜電防護設計技巧

實際應用中可以用下面的一個電阻+一個壓敏電阻的方式。他既有低通濾波器的功能,又有壓敏電阻的功能,還有電阻串聯(lián)限流的功能。是性價比ZUI()好的防護方式,對于高阻信號可以采用1K電阻+50PF壓敏;對于耳機等音頻輸出信號可以采用100歐電阻+壓敏電阻;對于TP信號串聯(lián)電阻不能太大否則影響TP的線性,可以采用10歐電阻。雖然電阻小了,低通濾波器效果已經(jīng)沒有了,但限流作用還是很重要的。

ESD防護方法與電路級靜電防護設計技巧


5、增加吸收回路

可以在敏感信號附件增加地的漏銅,來吸收靜電。道理和避雷針原理一樣。在信號線上放置尖()端放電點(火花隙)在山寨手機設計中也經(jīng)常應用。


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